分析化学实验课程中融入思政教育的探索与实践

高校专业课程思政建设要求落实立德树人和铸魂育人的根本任务,将实践教育和科学精神的培养相结合,培养专业扎实,具有责任感和使命意识的人才,构建全课程全方位的育人教育。分析化学实验课是化学必修的实践课程,从课前准备、实验操作以及课后探讨分析中,将课程思政教育渐进式融入,帮助学生构建将小我融入大我的科学精神和使命意识,真正将教书和育人有机统一,培育科学创新和理想信念坚定的专业人才。     

N-苄氧羰基甘氨酰-L-脯氨酸与4'-去甲基表鬼臼毒素的拼接合成及其抗肿瘤活性评价

以4'-去甲基表鬼臼毒素和N-苄氧羰基甘氨酰-L-脯氨酸为原料,通过酯化反应首次得到两种不同构型的拼接产物(3a、3b),其结构经1HNMR、13C NMR和ESI-MS确认.利用MTT法考察化合物3a、3b对HepG2、THP-1、Hela、MCF-7细胞的抑制活性.结果表明,化合物3a、3b对四种细胞都具有抑制作用,以化合物3b对THP-1细胞的作用最突出,其抑制强度是依托泊苷的16.5倍.     

用宽带超表面产生阵列贝塞尔光束

通过在空间光调制器（SLM）上加载相位图或通过光刻加工微型圆锥状结构可以产生贝塞尔光束阵列。然而，典型空间光调制器具有比波长大一个数量级的像素尺寸，这限制了相位梯度的可用范围，用光刻法加工的微型锥透镜的顶端不是标准的圆锥，这影响了贝塞尔光束的质量。为了克服这些缺点，将复杂的相位图加载到电介质超表面上，设计了一种可以产生阵列贝塞尔光束（在波长700 nm处，NA=0.3）的超表面器件。该器件可以宽波段工作，其单元结构在波长580~800 nm范围内的偏振转换效率均超过57%。利用时域有限差分算法（FDTD）对该器件（厚度为380 nm，直径仅为40 μm）进行了仿真，所产生的阵列光束都垂直于超表面器件。所提出的阵列贝塞尔光束发生器具有纳米级别的厚度和几十微米的直径，这对于未来的集成光学领域具有很大的应用前景。     

抗冲ACR树脂的合成及其性能评价

采用种子乳液聚合法,以丙烯酸丁酯为核层单体、甲基丙烯酸甲酯为壳层单体、甲基丙烯酸烯丙酯为交联剂制备了抗冲ACR树脂。考察了不同加料方式对ACR乳液粒径及对PVC冲击性能的影响,结果表明:连续滴加方式可实现乳液粒径的稳定控制,并能得到性能优异的抗冲ACR树脂。     

顶空气相色谱-质谱联用分析橡胶硫化烟气成分来源

建立顶空气相色谱-质谱(HS-GC/MS)联用分析橡胶(制品)硫化烟气成分的方法。对选定配方原材料及其混炼胶在硫化温度下挥发的烟气成分进行HS-GC/MS测试,确定挥发分成分;通过对定性结果的分析对比,推断硫化烟气各成分的来源。该方法的建立对开发绿色橡胶制品有很好的参考性。     

风洞模型加速度负反馈振动主动控制方法研究

针对尾撑式风洞模型强方向性振动问题,基于异位配置加速度负反馈控制器对风洞模型振动主动控制方法进行研究。首先,通过模态分析得到系统低阶模态振动的强方向性并基于系统特性设计了具有结构耦合性的内嵌压电陶瓷作动器的风洞模型振动主动控制系统。然后,基于异位配置NAF控制器分别设计了针对第二阶模态和前两阶模态的单模态NAF控制算法和双模态NAF控制算法。最后,进行了实验验证,结果表明:双模态NAF控制算法控制效果较好,前两阶模态阻尼比分别提高近13倍和近40倍,镇定时间分别缩短近11s和近26s。     

建筑材料供应中断对承包商成本的冲击研究——基于鲁棒模型分析

为了揭示供应商与承包商为主体的二级供应链中，两者间耦合作用条件下发生的供应中断对供应商最优决策及对承包商成本的影响机制，且剖析供应中断对承包商成本的冲击效应，以供应商存在高退出风险为研究对象，在仅知产量均值与方差条件下，运用Scarf提出的“极大极小值”鲁棒决策方法，通过设定不同决策情况下的供应链系统反馈，分析了不同退出标准情况下二级供应链的博弈过程。基于理论支撑下的鲁棒模型数值仿真结果得出：在退出标准α为100时，中间变量在290~350范围内，供应商存在最优决策，但承包商最优决策无法确定；与α为0时相比，在订货量达到一定状态，即α为140时，承包商成本增加了1.5%，表明承包商成本与供应商退出标准呈正相关，退出标准越高，对承包商成本造成的冲击效应越大。此研究结论为供应链初期不稳定且信息不完整条件下发生的供应中断影响机理提供了新的视角。     

正电子湮没研究Al、Nb共掺CaCu3Ti4O12陶瓷高介电常数机理

关于CaCu₃Ti₄O₁₂陶瓷的高介电常数机理，目前广泛接受的是非本征的内阻挡层电容模型。该模型认为在多晶中元素变价、缺陷和非化学计量比等导致的半导化晶粒被绝缘晶界层，即内阻挡层所包围。其中内阻挡层的厚度对材料的介电性能影响较大，而扫描电子显微镜（SEM）测试表明样品晶界呈稀烂的果酱状，SEM难以测量晶界区域绝缘内阻挡层厚度。本文采用正电子湮没技术表征其厚度，通过对CaCu₃Ti₄O₁₂陶瓷共掺不同浓度的Al、Nb（CaCu₃Ti_4-xAl_0.5xNb_0.5xO₁₂，x=0.2%、0.5%、5.0%）改变其晶粒和晶界的微观结构，研究CaCu₃Ti₄O₁₂陶瓷高介电常数机理。正电子湮没结果显示，掺杂样品符合多普勒展宽谱S参数的变化趋势与平均寿命的变化趋势一致。x=0.5%掺杂样品的介电常数最高，其平均寿命、S参数和湮没长寿命成分均最小，阻挡层最薄。实验结果验证了描述CaCu₃Ti₄O₁₂陶瓷高介电常数机理的内阻挡层电容模型的预测。